温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC0302LSATMA1
1个N沟道 耐压:120V 电流:66A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0302LSATMA1
- 商品编号
- C5310879
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,66A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 18NM60 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源应用的 AC-DC 转换器中。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 0.3Ω @ VGS = 10V，ID = 9.0A
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善 dv/dt 能力，高耐用性