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IPZ40N04S55R4ATMA1
IPZ40N04S55R4ATMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- 商品编号
- C5310878
- 商品封装
- TSDSON-8-32
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- OptiMOS - 用于汽车应用的功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 标准电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试