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S-LMUN2133LT1G实物图
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S-LMUN2133LT1G

偏置电阻晶体管

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描述
这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
商品型号
S-LMUN2133LT1G
商品编号
C5273274
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)400mW
晶体管类型PNP
属性参数值
直流电流增益(hFE)80@5.0mA,10V
输出电压(VO(on))-
输入电阻4.7kΩ
电阻比率0.47
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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