STU6N65M2
耐压:650V 电流:4A
- 描述
- N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，IPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU6N65M2
- 商品编号
- C5268715
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
商品概述
这些器件是采用MDmeshTM M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用