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IRFR9024NTR
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A 停产
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V高耐压及高效能的10A电流处理能力。专为中高压应用环境设计，适用于各类消费电子产品中的电源开关与转换需求，以实现卓越的系统稳定性和能源效率。
- 商品型号
- IRFR9024NTR
- 商品编号
- C5261063
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.137nF |
商品概述
该器件基于专有技术，在给定的硅片面积下，实现了同类产品中最佳的正向电压VF与反向电流IR折衷。 这款60V整流器针对空间受限的应用进行了优化，在这些应用中，效率和热性能是关键因素。 该器件适用于适配器和充电器。
商品特性
- 意法半导体（ST）先进的整流器工艺
- 反向电压下漏电流稳定
- 降低漏电流
- 低正向压降
- 高频工作
应用领域
- 适配器
- 充电器