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IRFR9024NTR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR9024NTR

1个P沟道 耐压:60V 电流:10A 停产

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描述
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有60V高耐压及高效能的10A电流处理能力。专为中高压应用环境设计,适用于各类消费电子产品中的电源开关与转换需求,以实现卓越的系统稳定性和能源效率。
商品型号
IRFR9024NTR
商品编号
C5261063
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
属性参数值
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)1.137nF

商品概述

IRFR9024NTR采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 60V,ID = - 10A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 140mΩ

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • TO-252-2L (DPAK)
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF