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TPDMN2004K-7
20V 900mA
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPDMN2004K-7
- 商品编号
- C5246381
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 另有符合汽车标准的产品（DMTH8001STLWQ），相关数据手册单独提供
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-电源管理