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TPM6301S6
2个N沟道 耐压:25V 电流:0.8A
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- 描述
- 应用：Notebook。Load Switch。Networking。Hand-held Instruments
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM6301S6
- 商品编号
- C5246388
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V,0.45A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合高效、低压电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-薄型 SOIC 封装
应用领域
- 断开开关-电机控制