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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSTR2P3LLH6

耐压:20V 电流:4.1A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPSTR2P3LLH6
商品编号
C5246394
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@4.5V,4.1A
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)7.8nC
输入电容(Ciss)740pF@4V
反向传输电容(Crss)190pF@4V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON),可将功率损耗降至最低
  • 低Qg,可将开关损耗降至最低
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
  • 另有符合汽车标准的产品型号(DMPH6050SSDQ),其数据手册单独提供

应用领域

-发动机管理系统-车身控制电子系统-DC-DC转换器

数据手册PDF