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FDC6321C-TP
N沟道+P沟道 25V 800mA
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDC6321C-TP
- 商品编号
- C5246386
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V；25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA；800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V；270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF；120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF；15pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF；20pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 静电放电保护
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器