温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPNTJD1155LT1G
带电平转换功能的负载开关
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET，采用低外形、小尺寸封装，输入电压范围为 1.8 至 8.0 V，开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V，电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTJD1155LT1G
- 商品编号
- C5246385
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 最大连续电流 | 1.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.8V~8V | |
| 导通电阻 | 150mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
极低导通电阻（RDS(on)）的P沟道负载开关MOSFET
商品特性
- 薄型、小尺寸封装
- 输入电压（VIN）范围：1.8至8.0 V
- 开/关电压范围：1.5至8.0 V
- 电平转换MOSFET具备ESD保护
应用领域
- 电池组
- 电池供电的便携式设备
- 移动电话和无绳电话