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TPM20V2PLX6
耐压:20V 电流:1.9A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM20V2PLX6
- 商品编号
- C5246382
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款新一代 n 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度降低导通电阻 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度高达 +175°C，适用于高温环境
- 散热效率高的封装，适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低导通电阻 RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于 1.1mm，适用于轻薄型应用
- 无铅镀层，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该产品符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的产品型号为 DMTH4007SPSQ，其数据手册单独提供
应用领域
- 电源管理-DC-DC 转换器-电机控制