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ATM7414NDH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM7414NDH

N沟道增强型场效应晶体管

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描述
ATM7414NDH采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
ATM7414NDH
商品编号
C5221609
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)10.7W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)645pF@15V
反向传输电容(Crss)68pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个5000个/圆盘

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