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ATM7414NDH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM7414NDH

N沟道增强型场效应晶体管

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描述
ATM7414NDH采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
ATM7414NDH
商品编号
C5221609
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)10.7W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)645pF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS(V) = 30 V
  • ID = 18 A (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 16 mΩ (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 24 mΩ (VGS = 4.5 V)

数据手册PDF