- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD16301Q2-VB
N沟道；电压：30V；电流：6A；导通电阻：23(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；N—Channel沟道；30V；6A；RDS(ON)=23(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD16301Q2-VB
- 商品编号
- C55251877
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 424pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |