GT50JR22-VB

集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：30A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V

描述

台积电流片，长电科技封装；IGBT+FRD配置；TO3P；600/650(V)；ICE (A)：30AVCEsat (V)typ：1.7V@ VGE=15V；VGE(±V)：±30V；VGEth(V)：5V；采用FS技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

GT50JR22-VB

商品编号

C55251886

商品封装

TO-3P​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)