STGB20M65DF2-VB

集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：20A栅极阈值电压(Vge(th))：1.65V@ VGE=15V

描述

台积电流片，长电科技封装；IGBT+FRD配置；TO263；600/650(V)；ICE (A)：20AVCEsat (V)typ：1.65V@ VGE=15V；VGE(±V)：±30V；VGEth(V)：5V；采用FS技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

STGB20M65DF2-VB

商品编号

C55251889

商品封装

TO-263​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)