温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSP75N-VB
N沟道；电压：60V；电流：4.5A；导通电阻：76(mΩ)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT223；N—Channel沟道；60V；4.5A；RDS(ON)=76(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSP75N-VB
- 商品编号
- C55251895
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- BXGSZ-3/8-16
- NY-D40-ZT-xy
- W-2006M08P-0000
- W-2006M10P-0000
- W-2006M12P-0000
- W-2006M20P-0000
- W-2006N08P-0000
- W-2006N10P-0000
- W-2006N12P-0000
- PPH-50mm(DN40 1-1/2)
- PPH-D50mm(DN40 1-1/2)
- PVC-DJZT-110mm-zb
- TCC0805X5R475K500FTI
- TCC0603X5R106M6R3CTI
- TCC0402X7R104K250ATI
- TCC0402X7S104K160ATI
- TCC1206X7R226K100HTI
- TCC0603X5R226M6R3CTI
- TCC0805X5R226M250FTI
- TCC1206X7T226M100HTI
- TCC1206X6S476M6R3HTI