FGA25N120ANTD-VB
集射极击穿电压(Vces):1200(V);集电极电流(Ic):25A栅极阈值电压(Vge(th)):1.55V@ VGE=15V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;IGBT+FRD配置;TO3P;1200(V);ICE (A):25AVCEsat (V)typ:1.55V@ VGE=15V;VGE(±V):±30V;VGEth(V):5V;采用FS技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FGA25N120ANTD-VB
- 商品编号
- C55251894
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
- BSP75N-VB
- BXGSZ-3/8-16
- NY-D40-ZT-xy
- W-2006M08P-0000
- W-2006M10P-0000
- W-2006M12P-0000
- W-2006M20P-0000
- W-2006N08P-0000
- W-2006N10P-0000
- W-2006N12P-0000
- W-2006N20P-0000
- PPH-50mm(DN40 1-1/2)
- PPH-D50mm(DN40 1-1/2)
- PVC-DJZT-110mm-zb
- TCC0805X5R475K500FTI
- TCC0603X5R106M6R3CTI
- TCC0402X7R104K250ATI
- TCC0402X7S104K160ATI
- TCC1206X7R226K100HTI
- TCC0603X5R226M6R3CTI
- TCC0805X5R226M250FTI



