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DMP2008UFG-7-VB

P沟道;电压:-20V;电流:-52A;导通电阻:4(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);P—Channel沟道;-20V;-52A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.2V;采用Trench技术;
商品型号
DMP2008UFG-7-VB
商品编号
C55251881
商品封装
DFN-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)52A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)89W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)570pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)830pF
栅极电压(Vgs)±12V

数据手册PDF