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IRFB4127PBF-VB
N沟道；电压：200V；电流：80A；导通电阻：17(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；200V；80A；RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=4V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFB4127PBF-VB
- 商品编号
- C55251883
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- BSP75N-VB
- BXGSZ-3/8-16
- NY-D40-ZT-xy
- W-2006M08P-0000
- W-2006M10P-0000
- W-2006M12P-0000
- W-2006M20P-0000
- W-2006N08P-0000
- W-2006N10P-0000
- W-2006N12P-0000
- PPH-50mm(DN40 1-1/2)
- PPH-D50mm(DN40 1-1/2)
- PVC-DJZT-110mm-zb
- TCC0805X5R475K500FTI
- TCC0603X5R106M6R3CTI
- TCC0402X7R104K250ATI
- TCC0402X7S104K160ATI
- TCC1206X7R226K100HTI
- TCC0603X5R226M6R3CTI
- TCC0805X5R226M250FTI
- TCC1206X7T226M100HTI