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DMP3056L-7-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-5.6A；导通电阻：46(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-30V；-5.6A；RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMP3056L-7-VB
- 商品编号
- C55251749
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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- W-2006M10P-0000
- W-2006M12P-0000
- W-2006M20P-0000
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- W-2006N10P-0000
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