DMG2305UX-7-VB
P沟道;电压:-20V;电流:-5A;导通电阻:34(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-20V;-5A;RDS(ON)=34(mΩ)@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=-0.6V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG2305UX-7-VB
- 商品编号
- C55251730
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
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