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IRF9540NSTRLPBF-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-37A；导通电阻：40(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-100V；-37A；RDS(ON)=40(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9540NSTRLPBF-VB
- 商品编号
- C55251733
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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