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CSD18504Q5A-VB
N沟道；电压：40V；电流：70A；导通电阻：4.7(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；40V；70A；RDS(ON)=4.7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD18504Q5A-VB
- 商品编号
- C55251741
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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