温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7615ADN-T1-GE3-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-52A；导通电阻：4(mΩ)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；P—Channel沟道；-20V；-52A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-1.2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7615ADN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C55251743
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
- IRF3205STRLPBF-VB
- CSD18543Q3A-VB
- IRF1404PBF-VB
- IRF5210PBF-VB
- IRF4905STRLPBF-VB
- DMP3056L-7-VB
- DMG4435SSS-13-VB
- 2SK3018T106-VB
- IRF2804PBF-VB
- NTTFS015P03P8ZTAG-VB
- ZXMN6A11GTA-VB
- DMP4013SPSQ-13-VB
- BSZ0909NS-VB
- NVMFD5C466NLWFT1G-VB
- DMP2008UFG-7-VB
- DMN2050L-7-VB
- IRFB4127PBF-VB
- BSP75N-VB
- BXGSZ-3/8-16
- NY-D40-ZT-xy
- W-2006M08P-0000