SI7615ADN-T1-GE3-VB

P沟道；电压：-20V；电流：-52A；导通电阻：4(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；P—Channel沟道；-20V；-52A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-1.2V；采用Trench技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI7615ADN-T1-GE3-VB

商品编号

C55251743

商品封装

DFN-8-EP(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.54克(g)