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DMG1012UW-7-VB
N沟道；电压：20V；电流：4A；导通电阻：36(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SC70-3；N—Channel沟道；20V；4A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG1012UW-7-VB
- 商品编号
- C55251738
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
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