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DMG1012T-7-VB
N沟道；电压：20V；电流：0.85A；导通电阻：270(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SC75-3；N—Channel沟道；20V；0.85A；RDS(ON)=270(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±12V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG1012T-7-VB
- 商品编号
- C55251734
- 商品封装
- SC-75-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
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