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TPM60V8NS8-2
耐压:60V 电流:9A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60V8NS8-2
- 商品编号
- C5197346
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 9A
- 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 18mΩ(典型值:12mΩ)
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 要求为无铅产品
- 表面贴装封装