温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPM60V8NS8-2
耐压:60V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60V8NS8-2
- 商品编号
- C5197346
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- VDS = 40V，ID = 8A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 29mΩ
- P沟道
- VDS' = -40V，ID = -7A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装