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TPM30NP67S8-3
N沟道+P沟道 30V 7A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30NP67S8-3
- 商品编号
- C5197366
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；9.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
应用领域
- 电池组-便携式设备