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TPM30NP67S8-4
耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDS = 30V，ID = 6.5A，RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -30V，ID = -7A，RDS(ON) < 38mΩ（VGS = -10V时）
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30NP67S8-4
- 商品编号
- C5197367
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；100pF |
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 35mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -7A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 要求为无铅产品
- 表面贴装封装