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FDG6335N
20V 700mA
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDG6335N
- 商品编号
- C5197391
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V，ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- P沟道
- VDS = -30V，ID = -7A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 高功率和高电流处理能力
- 要求为无铅产品
- 表面贴装封装