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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSI4850EY

耐压:60V 电流:9A

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描述
特性:VDS = 60V, ID = 9A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V (Typ:12mΩ)。 高功率和大电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
商品型号
TPSI4850EY
商品编号
C5197348
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)58nC@30V
输入电容(Ciss)2.18nF
反向传输电容(Crss)270pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些高耐用性器件专为高电压驻波比(VSWR)的工业、医疗、广播和移动无线电应用而设计。其无匹配的输入和输出设计支持1.8至400 MHz的频率使用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 9A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 18mΩ(典型值:12mΩ)

应用领域

  • 高功率和大电流处理能力
  • 要求为无铅产品
  • 表面贴装封装

数据手册PDF