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TPM30NP67S8-2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30NP67S8-2

耐压:30V 电流:7A

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描述
特性:N沟道:VDS = 30V,ID = 6.5A;RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 P沟道:VDS = -30V,ID = -7A;RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = -10V
商品型号
TPM30NP67S8-2
商品编号
C5197365
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V,6.5A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.9V
栅极电荷量(Qg)9.2nC@15V
输入电容(Ciss)520pF@15V
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃

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