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TPM4016PS8-3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM4016PS8-3

耐压:40V 电流:12A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM4016PS8-3
商品编号
C5197361
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)40nC
输入电容(Ciss)2.8nF@20V
反向传输电容(Crss)220pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 9A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 18mΩ(典型值:12mΩ)

应用领域

  • 高功率和大电流处理能力
  • 要求为无铅产品
  • 表面贴装封装

数据手册PDF