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TPM60V8NS8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM60V8NS8

耐压:60V 电流:9A

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描述
特性:VDS = 60V, ID = 9A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V (Typ: 12mΩ)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
商品型号
TPM60V8NS8
商品编号
C5197344
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V,9A
耗散功率(Pd)2.6W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@30V
输入电容(Ciss)2.18nF@30V
反向传输电容(Crss)270pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)350pF

商品特性

  • -20V、-2.3A,在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 100mΩ(最大值)
  • 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 125mΩ(最大值)
  • SOT-323封装

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF