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TPM40NP8S8
耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 特性：N 沟道: -VDS = 40V，ID = 8A。RDS(ON) < 19mΩ @ VGS = 10V。RDS(ON) < 29mΩ @ VGS = 4.5V。 P 沟道: -VDS = -40V，ID = -7A。RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = -10V。RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = -4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM40NP8S8
- 商品编号
- C5197327
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- VDS = 40V,ID = 8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 29mΩ
- P沟道
- VDS' = -40V,ID = -7A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 高功率和高电流处理能力
- 需无铅产品
- 表面贴装封装