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TPM30V2PS3-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30V2PS3-1

耐压:30V 电流:2A

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描述
特性:VDS = -30V,b = -2A。 RDS(ON) < 190mΩ @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) < 330mΩ @ VGS = -4.5V。 封装形式:SOT-23。应用:电池保护。 负载开关
商品型号
TPM30V2PS3-1
商品编号
C5197334
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V;330mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)8nC@15V
输入电容(Ciss)155pF@15V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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