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TPM30V2PS3-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30V2PS3-1

耐压:30V 电流:2A

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私有库下单最高享92折
描述
特性:VDS = -30V,b = -2A。 RDS(ON) < 190mΩ @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) < 330mΩ @ VGS = -4.5V。 封装形式:SOT-23。应用:电池保护。 负载开关
商品型号
TPM30V2PS3-1
商品编号
C5197334
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V;330mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)8nC@15V
输入电容(Ciss)155pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些高耐用性器件专为高电压驻波比(VSWR)的工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用而设计。它们采用非匹配输入和输出设计,可在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。

商品特性

  • 宽工作频率范围
  • 极高的耐用性
  • 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围使用
  • 集成稳定性增强功能
  • 低热阻
  • 集成静电放电(ESD)保护电路
  • 采用卷带包装。后缀R1表示500个元件,44 mm宽卷带,13英寸卷轴。

应用领域

-电池保护-负载开关-电源管理

数据手册PDF