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TPM40NP8S8-1
耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDS = 40V，ID = 8A，RDS(ON) < 19mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 29mΩ @ VGS = 4.5V。 P沟道：VDS = -40V，ID = -7A，RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = -10V，RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = -4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM40NP8S8-1
- 商品编号
- C5197328
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF；112pF |
商品特性
- N沟道:
- VDS = 40V,ID = 8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 29mΩ
- P沟道:
- VDS = -40V,ID = -7A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装