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TPNTR1P02T1G
耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTR1P02T1G
- 商品编号
- C5197329
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：10.5 nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON)：2.0 Ω（典型值）@VGS = 10V
- 100%雪崩测试