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2N7002DW
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C5190214
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 650pC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 12pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 65
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.2 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.0 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 工作温度为150°C
- 无铅引脚镀层
应用领域
-DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流