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TPM1013ER3-1
耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM1013ER3-1
- 商品编号
- C5182075
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 590mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以尽量缩短反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，可实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -1A
- RDS(ON) < 590 m Ω(VGS = -4.5 V时)
- \mathsfRDS(ON) < 900mΩ(VGS = -2.5V时)
- 静电放电保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换