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TPM20V7NLS6-2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM20V7NLS6-2

耐压:20V 电流:7A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM20V7NLS6-2
商品编号
C5182102
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@4.5V,7A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.31nF@10V
反向传输电容(Crss)9pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)140pF

商品特性

  • -60V/-3A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 95mΩ(典型值)
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 130mΩ(典型值)
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF