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TPM3155EX6-1
20V N沟道+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM3155EX6-1
- 商品编号
- C5182090
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA；700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V；520mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 170pF；120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF；15pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF；20pF |
商品概述
20V、3.5A，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 40 mΩ。 VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 50 mΩ。 -20V、-2.8A，VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 85 mΩ。 VGS = -2.5V 时，RDS(ON) = 100 mΩ。
商品特性
- 静电放电保护
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器