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TPM20V7NLS6-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM20V7NLS6-1

耐压:20V 电流:7A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM20V7NLS6-1
商品编号
C5182101
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@4.5V,5.2A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)7.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.31nF@15V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CJB130SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。

商品特性

~~- 低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷

应用领域

  • 高效电源-次级同步整流器

数据手册PDF