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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2305ADS

耐压:20V 电流:4.1A

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描述
特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口
商品型号
SI2305ADS
商品编号
C5182096
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@4.5V;58mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)7.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)740pF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)290pF

商品概述

SVT20240NT(P7)(S)是一款采用士兰微LVMOST技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进后的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域。

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 获得无铅产品认证

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF