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TPM4401NEC6-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM4401NEC6-1

2个N沟道 耐压:20V 电流:0.7A

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描述
特性:快速开关。 提供环保器件。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关
商品型号
TPM4401NEC6-1
商品编号
C5182084
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)700mA
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V,650mA
属性参数值
耗散功率(Pd)100mW
阈值电压(Vgs(th))500mV
输入电容(Ciss)120pF@16V
反向传输电容(Crss)15pF@16V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SVF4N90F/MJ/T/D 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。

商品特性

  • 4A,900V,RDS(on)(典型值)=2.7Ω@VGS = 10V
  • 低栅极电荷
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • 改进的 dv/dt 能力

应用领域

  • AC-DC 电源
  • DC-DC 转换器
  • H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册PDF