温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DC4R3TG
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷、低导通电阻、散热好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SGT2工艺/N管/30V/80A/4.5MΩ/(典型4MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DC4R3TG
- 商品编号
- C54427967
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7726克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 567pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻，且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 80A，RDS(ON) < 4.3mΩ（@VGS = 10V，典型值：3.5mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3