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DHI013TG-L
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，具有低栅极电荷和超低导通电阻，适用于多种应用
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- 描述
- SGT2工艺/N管/120V/60A/13MΩ/(典型10MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DHI013TG-L
- 商品编号
- C54428026
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 593pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 120V，ID = 60A，RDS(ON) < 13mΩ（在VGS = 10V时，典型值为10mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3