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DB003NG
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，多种应用适用
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- 描述
- N管/20V/150A/3MΩ/(典型1.9MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DB003NG
- 商品编号
- C54428029
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 759pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 856pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 150A，RDS(ON) < 2.7mΩ @ VGS = 10V（典型值：1.7mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3