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DOD617
采用先进沟槽技术的N沟道和P沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻，散热性好
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- 描述
- N+P管/30V/40A/10MΩ/(典型7.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD617
- 商品编号
- C54428038
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品概述
这款N沟道和P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 30V，ID = 30A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
- P沟道：VDS = -30V，ID = -25A，在VGS = -10V时，RDS(ON) < 20mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好