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DOD607H
N+P通道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，超低导通电阻，散热良好
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- 描述
- N+P管/30V/18A/25MΩ/(典型18MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD607H
- 商品编号
- C54428037
- 商品封装
- TO-252-4D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60.9pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78.7pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 30V，ID = 18A，RDS(ON) < 25mΩ，VGS = 10V（典型值：18mΩ）
- P沟道：VDS = -30V，ID = -19A，RDS(ON) < 33mΩ，VGS = -10V（典型值：28mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3